|
☰ Все разделы → Комплектующие 5 Память для компьютера - tRP 5 в городе Оренбург➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 5 Память для компьютера — купить в городе Оренбург и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 883 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Оренбург, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 883 шт: 
AMD R322G805U2S-UGO - DDR2 800 (PC2 6400) DIMM 240 pin, 1x2 Гб, 1.8 В, CL 5, OEM.
Kingston KVR667D2N5/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Transcend TS512MFB72V6U-T - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2S4F5K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 FB-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 DIMM 1 Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR800D2N5K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2N5K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 DIMM 1 Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Оперативная память Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x1 ГБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Kingston KVR667D2D8F5K2/4G - DDR2 667 (PC2 5300) FB-DIMM 240 pin, 2x2 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Hynix DDR2 667 DIMM 2Gb - DDR2 667 (PC2 5300) DIMM 240 pin, 1x2 ГБ, 1.8 В, CL 5
Оперативная память Kingston KVR800D2D8F5K2/2G - DDR2 800 (PC2 6400) FB-DIMM 240 pin, 2x1 ГБ, буферизованная, ECC, 1.8 В, CL 5
Samsung DDR2 667 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD4096M667HC5DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD4096M667HC5 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TEDD8192M667HC5DC - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800HC5DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800HC5DC01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM800HC501 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G667C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21G667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24G800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22GM800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED22G800C5DC-S01 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21GM800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED21G800C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TED24GM667C5-S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Corsair TWIN2X4096-6400C5C - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 8Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 8 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 991572 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Team Group TSDD512M800C5-E - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBLRU800S21 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSK - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5S-2GBSK - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE800U01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 SO-DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Отзывы о Samsung Low Profile DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb 
Mushkin 971559A - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
GoodRAM GR800S264L5/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBLRU800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE800S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP004GBFRE667S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP001GBFRE667S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Silicon Power SP002GBFRE667S01 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TXDD4096M1066HC5DC-D - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Team Group TXDD2048M1066HC5DC-D - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 996655 - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Mushkin 991655 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-5300CL5D-4GBSA - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 667 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Hynix DDR2 667 Registered ECC DIMM 4Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1K2/2G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2B1/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2S8F5/1GI - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Apacer DDR2 667 Registered ECC DIMM 2Gb CL5 - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNT - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
G.SKILL F2-6400CL5S-1GBNY - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2Q8F5/4G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX8500D2K2/4G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2Q8F5K2/8G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Corsair CM2X2048-6400C5 G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX8500D2/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 SO-DIMM 1Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingmax DDR2 800 SO-DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX8500D2K4/4G - 4 модуля памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1066 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR800D2D8F5/1G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 1 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Samsung DDR2 667 DIMM 2Gb - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, CAS Latency (CL): 5
Corsair TWIN2X4096-6400C5 G - 2 модуля памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2D4F5/4GI - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 4 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KVR667D2D8F5/2GI - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный, частота 667 МГц, поддержка ECC, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Kingston KHX6400D2/2G - 1 модуль памяти DDR2, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 800 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 5
Доставка товаров из категории "память для компьютера - trp 5" - в городе в Оренбург от 2х дней. Контакты - Оренбург » Изменить Город |
1 557 718 выполненных заказов
Гипермаркет Сайдекс — 21 лет всегда низкие цены!
Buba
30.07.2021
Константин
18.02.2021
Вадим И.
27.02.2020
Алексей Т.
25.02.2020
Николай К.
24.02.2020
Александр М.
23.02.2020
Сидоров
18.02.2020
Александр Л.
17.02.2020
Simf68
15.02.2020
Сидоров
12.02.2020
Сергей Чуманкин
09.02.2020
Анастасия Г.
06.02.2020
Nadejdak1775
05.02.2020
Егор С.
02.02.2020
Олег Х.
01.02.2020
Михаил С.
31.01.2020
александр г.
30.01.2020
Dean Lowrey
30.01.2020
Елена Б.
29.01.2020
Антон К.
27.01.2020
САЙДЕКС © 2003-2024
