|
☰ Все разделы → Комплектующие 23400 Память для компьютера - Пропускная способность 23400 в городе Оренбург➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 23400 Память для компьютера — купить в городе Оренбург и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 76 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Оренбург, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики. В наличии 76 шт:
1 модуль памяти, DDR4 DIMM, 32Gb, ECC Reg, PC4-23400, 2933MHz, CL21.
8 модулей, объем 1 модуля 8Гб, DDR4 DIMM, частота 2933MHz, CL16, 1.35В.
4 модуля памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, радиатор, CAS Latency (CL): 17.
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M393A8G40MB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M393A8G40MB2-CVF
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS4/16MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS4/16MEI
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTH-PL429/64G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTH-PL429/64G
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. HyperX Impact HX429S17IB/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 17
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. HyperX Impact HX429S17IB/32
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/16 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/16
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD4/32MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD4/32MEI
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29S21D8/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29S21D8/32
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/32
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTL-TS429/32G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTL-TS429/32G
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS8/8MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS8/8MEI
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21S8/8 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21S8/8
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD8/16MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD8/16MEI
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFS4293 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFS4293
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Lenovo 4ZC7A08710 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M393A1K43DB1-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M393A1K43DB1-CVF
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J1 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J1
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K40DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K40DB2-CVF
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF4G72PDZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF4G72PDZ-2G9
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K43DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K43DB2-CVF
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Hynix HMA81GS6DJR8N-WM - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Hynix HMA81GS6DJR8N-WM
Оперативная память 128 ГБ 1 шт. Samsung M386AAG40MMB-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 128 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 128 ГБ 1 шт. Samsung M386AAG40MMB-CVF
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4K40DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4K40DB2-CVF
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4G40AB3-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4G40AB3-CVF
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72LZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72LZ-2G9
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M386A8K40DM2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC
Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M386A8K40DM2-CVF
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Hewlett Packard Enterprise P19041-B21 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Hewlett Packard Enterprise P19041-B21
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KCP429SS6/8 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 16 GB 1 шт. Kingston KSM29ED8/16HD - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Kingston KSM29ED8/16HD
Оперативная память 64 GB 1 шт. Hynix HMAA8GL7CPR4N-WM - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. Hynix HMAA8GL7CPR4N-WM
Оперативная память 16 GB 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR
Оперативная память 64 GB 1 шт. Micron MTA72ASS8G72LZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. Micron MTA72ASS8G72LZ-2G9
Оперативная память 64 GB 1 шт. DELL 370-AEQG - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 16 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08708 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Оперативная память 8 GB 1 шт. Supermicro MEM-DR480L-CL01-ER29 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21
Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Supermicro MEM-DR480L-CL01-ER29
Оперативная память 32 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08709 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC
Оперативная память Samsung 32GB 2933MHz (M393A4G43AB3-CVF) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Samsung 32GB 2933MHz (M393A4G43AB3-CVF)
Оперативная память Kingston 64GB 2933MHz CL21 (KSM29RD4/64MER) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Kingston 64GB 2933MHz CL21 (KSM29RD4/64MER)
Оперативная память Kingston 4GB 2933MHz CL21 (KCP429SS6/4) - объем памяти: 4 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston 4GB 2933MHz CL21 (KCP429SS6/4)
Оперативная память DELL 64GB 2933MHz CL21 (370-AEQGt) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память DELL 64GB 2933MHz CL21 (370-AEQGt)
Оперативная память Micron 128GB 2933MHz (MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E1) - объем памяти: 128 ГБ, тип: DDR4 LRDIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 128GB 2933MHz (MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E1)
Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Оперативная память Micron 32GB 2933MHz CL21 (MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 32GB 2933MHz CL21 (MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1)
Оперативная память HUAWEI 16GB 2933MHz (06200286) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Оперативная память Crucial 64GB 2933MHz CL21 (CT64G4RFD4293) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Crucial 64GB 2933MHz CL21 (CT64G4RFD4293)
Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KCP429SD8/32) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KCP429SD8/32)
Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMA84GR7CJR4N-WMT8) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMA84GR7CJR4N-WMT8)
Оперативная память HUAWEI 64GB 2933MHz (06200329) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Оперативная память Nanya 32GB 2933MHz CL21 (NT32GA72D4NBX3P-IX) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Nanya 32GB 2933MHz CL21 (NT32GA72D4NBX3P-IX)
Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 (QUM4U-16G2933P21) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 (QUM4U-16G2933P21)
Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 (370-AEQI) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 (370-AEQI)
Оперативная память DELL 16GB 2933MHz CL19 (370-AEVQt) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память DELL 16GB 2933MHz CL19 (370-AEVQt)
Оперативная память Fujitsu 64GB 2933MHz CL21 (S26361-F4083-L364) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Fujitsu 64GB 2933MHz CL21 (S26361-F4083-L364)
Оперативная память Fujitsu 16GB 2933MHz (S26361-F4104-L427) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Fujitsu 16GB 2933MHz (S26361-F4104-L427)
Оперативная память Fujitsu 8GB 2933MHz (S26462-F4108-L4) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Fujitsu 8GB 2933MHz (S26462-F4108-L4)
Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KSM29RD8/32HAR) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21-32, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KSM29RD8/32HAR)
Оперативная память Hynix 16GB 2933MHz CL21 (HMA82GU6CJR8N-WM) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 16GB 2933MHz CL21 (HMA82GU6CJR8N-WM)
Оперативная память Micron 8GB 2933MHz CL21 (MTA9ASF1G72PZ-2G9J3) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Micron 8GB 2933MHz CL21 (MTA9ASF1G72PZ-2G9J3)
Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMAA4GU6AJR8N-WMN0) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMAA4GU6AJR8N-WMN0)
Оперативная память Foxline 32GB 2933MHz CL21 (FL2933D4U21-32G) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Foxline 32GB 2933MHz CL21 (FL2933D4U21-32G)
Оперативная память Kingston Fury 16GB (8GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/16) - объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17-19-19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, радиатор: да
Отзывы о Оперативная память Kingston Fury 16GB (8GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/16)
Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB (16GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IB1K2/32) - объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB (16GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IB1K2/32)
Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB 2933MHz CL17 (KF429S17IB/32) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17-19-19-26, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB 2933MHz CL17 (KF429S17IB/32)
Оперативная память Kingston FURY Impact 64GB (32GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/64) - объем памяти: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17-19-19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Kingston FURY Impact 64GB (32GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/64)
Оперативная память Samsung 256GB 2933MHz (M393ABG40M5B-CYF) - объем памяти: 256 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да
Отзывы о Оперативная память Samsung 256GB 2933MHz (M393ABG40M5B-CYF)
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M378A1K43EB2-CVF) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered), низкопрофильная (Low Profile)
Отзывы о Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M378A1K43EB2-CVF)
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Отзывы о Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001)
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц - объем памяти: 128 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
Оперативная память Hynix 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (HMAA4GS6MJR8N-WMN0) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (HMAA4GS6MJR8N-WMN0)
Оперативная память Hynix 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL19 (HMA81GU6DJR8N-WMN0) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400
Отзывы о Оперативная память Hynix 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL19 (HMA81GU6DJR8N-WMN0) Доставка товаров из категории "память для компьютера - пропускная способность 23400" - в городе в Оренбург от 2х дней. Контакты - Оренбург » Изменить Город |