☰ Все разделыКомплектующие

23400 Память для компьютера - Пропускная способность 23400 в городе Оренбург


➤ Есть скидки по промокоду sidex250: популярные 23400 Память для компьютера — купить в городе Оренбург и других городах России по скидочной цене, без предоплаты, в наличии 76 шт. Категория: Комплектующие. Доставка в Оренбург, Москва и другие города России. Перед покупкой воспользуйтесь подбором по параметрам, читайте отзывы, смотрите характеристики.

В наличии 76 шт:

1 модуль памяти, DDR4 DIMM, 32Gb, ECC Reg, PC4-23400, 2933MHz, CL21.

Отзывы о Dell 370-AEQH

39 626 руб.
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 401-293-099
8 модулей, объем 1 модуля 8Гб, DDR4 DIMM, частота 2933MHz, CL16, 1.35В.

Отзывы о Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 RTL

Подробнее...
Комплектующие
Продано: 13 шт арт.: 129-985-199
4 модуля памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, радиатор, CAS Latency (CL): 17.

Отзывы о HyperX HX429C17FWK4/64

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 379-184-799
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M393A8G40MB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M393A8G40MB2-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-544-299
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS4/16MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS4/16MEI

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-981-899
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTH-PL429/64G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTH-PL429/64G

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-982-099
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. HyperX Impact HX429S17IB/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 17

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. HyperX Impact HX429S17IB/32

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-988-299
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/16 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/16

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-988-799
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD4/32MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD4/32MEI

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-988-899
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29S21D8/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29S21D8/32

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-988-999
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/32 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21D8/32

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-991-799
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTL-TS429/32G - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KTL-TS429/32G

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-994-399
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS8/8MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RS8/8MEI

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-994-499
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21S8/8 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KVR29N21S8/8

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-999-199
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD8/16MEI - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Kingston ValueRAM KSM29RD8/16MEI

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 427-999-299
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFS4293 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Crucial CT16G4RFS4293

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 428-009-599
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Lenovo 4ZC7A08710 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Lenovo 4ZC7A08710

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 428-276-599
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M393A1K43DB1-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M393A1K43DB1-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 432-452-999
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J1 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF4G72PZ-2G9J1

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 432-501-499
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K40DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K40DB2-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 432-510-099
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF4G72PDZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF4G72PDZ-2G9

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 432-530-399
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K43DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Samsung M393A2K43DB2-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 432-551-999
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Hynix HMA81GS6DJR8N-WM - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Hynix HMA81GS6DJR8N-WM

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 439-872-099
Оперативная память 128 ГБ 1 шт. Samsung M386AAG40MMB-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 128 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 128 ГБ 1 шт. Samsung M386AAG40MMB-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 439-946-299
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4K40DB2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4K40DB2-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-054-599
Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4G40AB3-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 32 ГБ 1 шт. Samsung M393A4G40AB3-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-055-199
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PDZ-2G9

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-055-599
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-058-599
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72LZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Micron MTA36ASF8G72LZ-2G9

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-058-699
Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M386A8K40DM2-CVF - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC

Отзывы о Оперативная память 64 ГБ 1 шт. Samsung M386A8K40DM2-CVF

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-073-499
Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Hewlett Packard Enterprise P19041-B21 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 ГБ 1 шт. Hewlett Packard Enterprise P19041-B21

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 440-073-799
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KCP429SS6/8 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2933 МГц, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KCP429SS6/8

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-178-299
Оперативная память 16 GB 1 шт. Kingston KSM29ED8/16HD - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Kingston KSM29ED8/16HD

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-264-399
Оперативная память 64 GB 1 шт. Hynix HMAA8GL7CPR4N-WM - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор LRDIMM, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. Hynix HMAA8GL7CPR4N-WM

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-267-799
Оперативная память 16 GB 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Micron MTA18ASF2G72PZ-2G9E1

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-278-499
Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Kingston KSM29RS8/8HDR

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-279-899
Оперативная память 64 GB 1 шт. Micron MTA72ASS8G72LZ-2G9 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. Micron MTA72ASS8G72LZ-2G9

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-295-599
Оперативная память 64 GB 1 шт. DELL 370-AEQG - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 64 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 64 GB 1 шт. DELL 370-AEQG

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-407-099
Оперативная память 16 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08708 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 16 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 16 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08708

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-407-299
Оперативная память 8 GB 1 шт. Supermicro MEM-DR480L-CL01-ER29 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 8 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC, CAS Latency (CL): 21

Отзывы о Оперативная память 8 GB 1 шт. Supermicro MEM-DR480L-CL01-ER29

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-427-799
Оперативная память 32 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08709 - 1 модуль памяти DDR4, объем модуля 32 ГБ, форм-фактор DIMM, 288-контактный, частота 2933 МГц, поддержка ECC

Отзывы о Оперативная память 32 GB 1 шт. Lenovo 4ZC7A08709

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-438-199
Оперативная память Samsung 32GB 2933MHz (M393A4G43AB3-CVF) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Samsung 32GB 2933MHz (M393A4G43AB3-CVF)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 443-997-699
Оперативная память Kingston 64GB 2933MHz CL21 (KSM29RD4/64MER) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Kingston 64GB 2933MHz CL21 (KSM29RD4/64MER)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 444-132-199
Оперативная память Kingston 4GB 2933MHz CL21 (KCP429SS6/4) - объем памяти: 4 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Kingston 4GB 2933MHz CL21 (KCP429SS6/4)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 444-133-099
Оперативная память DELL 64GB 2933MHz CL21 (370-AEQGt) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память DELL 64GB 2933MHz CL21 (370-AEQGt)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 444-825-299
Оперативная память Micron 128GB 2933MHz (MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E1) - объем памяти: 128 ГБ, тип: DDR4 LRDIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Micron 128GB 2933MHz (MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E1)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 444-831-499
Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 444-848-299
Оперативная память Micron 32GB 2933MHz CL21 (MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Micron 32GB 2933MHz CL21 (MTA18ASF4G72PDZ-2G9E1)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 445-601-299
Оперативная память HUAWEI 16GB 2933MHz (06200286) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память HUAWEI 16GB 2933MHz (06200286)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 445-756-099
Оперативная память Crucial 64GB 2933MHz CL21 (CT64G4RFD4293) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Crucial 64GB 2933MHz CL21 (CT64G4RFD4293)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 446-715-999
Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KCP429SD8/32) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KCP429SD8/32)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 446-726-499
Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMA84GR7CJR4N-WMT8) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMA84GR7CJR4N-WMT8)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 447-092-199
Оперативная память HUAWEI 64GB 2933MHz (06200329) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память HUAWEI 64GB 2933MHz (06200329)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 447-482-099
Оперативная память Nanya 32GB 2933MHz CL21 (NT32GA72D4NBX3P-IX) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Nanya 32GB 2933MHz CL21 (NT32GA72D4NBX3P-IX)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 447-578-199
Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 (QUM4U-16G2933P21) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 (QUM4U-16G2933P21)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 449-233-099
Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 (370-AEQI) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память DELL 32GB 2933MHz CL21 (370-AEQI)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 450-425-399
Оперативная память DELL 16GB 2933MHz CL19 (370-AEVQt) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память DELL 16GB 2933MHz CL19 (370-AEVQt)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 450-682-299
Оперативная память Fujitsu 64GB 2933MHz CL21 (S26361-F4083-L364) - объем памяти: 64 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Fujitsu 64GB 2933MHz CL21 (S26361-F4083-L364)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 450-800-199
Оперативная память Fujitsu 16GB 2933MHz (S26361-F4104-L427) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Fujitsu 16GB 2933MHz (S26361-F4104-L427)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 451-410-499
Оперативная память Fujitsu 8GB 2933MHz (S26462-F4108-L4) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Fujitsu 8GB 2933MHz (S26462-F4108-L4)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 451-421-499
Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KSM29RD8/32HAR) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21-32, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Kingston 32GB 2933MHz CL21 (KSM29RD8/32HAR)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 451-421-999
Оперативная память Hynix 16GB 2933MHz CL21 (HMA82GU6CJR8N-WM) - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Hynix 16GB 2933MHz CL21 (HMA82GU6CJR8N-WM)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 451-430-499
Оперативная память Micron 8GB 2933MHz CL21 (MTA9ASF1G72PZ-2G9J3) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Micron 8GB 2933MHz CL21 (MTA9ASF1G72PZ-2G9J3)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 451-430-599
Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMAA4GU6AJR8N-WMN0) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Hynix 32GB 2933MHz CL21 (HMAA4GU6AJR8N-WMN0)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 454-821-499
Оперативная память Foxline 32GB 2933MHz CL21 (FL2933D4U21-32G) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Foxline 32GB 2933MHz CL21 (FL2933D4U21-32G)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 454-960-299
Оперативная память Kingston Fury 16GB (8GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/16) - объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17-19-19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, радиатор: да

Отзывы о Оперативная память Kingston Fury 16GB (8GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/16)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 455-576-999
Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21 - объем памяти: 16 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Qumo 16GB 2933MHz CL21

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 455-603-399
Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB (16GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IB1K2/32) - объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB (16GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IB1K2/32)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 458-196-499
Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB 2933MHz CL17 (KF429S17IB/32) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17-19-19-26, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Kingston FURY Impact 32GB 2933MHz CL17 (KF429S17IB/32)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 458-200-699
Оперативная память Kingston FURY Impact 64GB (32GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/64) - объем памяти: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 17-19-19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Kingston FURY Impact 64GB (32GBx2) 2933MHz CL17 (KF429S17IBK2/64)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 458-201-099
Оперативная память Samsung 256GB 2933MHz (M393ABG40M5B-CYF) - объем памяти: 256 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, буферизованная (Registered): да, поддержка ECC: да

Отзывы о Оперативная память Samsung 256GB 2933MHz (M393ABG40M5B-CYF)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 458-201-799
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M378A1K43EB2-CVF) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered), низкопрофильная (Low Profile)

Отзывы о Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (M378A1K43EB2-CVF)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 475-522-899
Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered)

Отзывы о Оперативная память Hewlett Packard Enterprise 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (P06189-001)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 475-713-099
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц - объем памяти: 128 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400, особенности: ECC, буферизованная (Registered)

Отзывы о Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 478-566-999
Оперативная память Hynix 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (HMAA4GS6MJR8N-WMN0) - объем памяти: 32 ГБ, тип: DDR4 SODIMM 260-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 21, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Hynix 32 ГБ DDR4 2933 МГц CL21 (HMAA4GS6MJR8N-WMN0)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 478-997-499
Оперативная память Hynix 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL19 (HMA81GU6DJR8N-WMN0) - объем памяти: 8 ГБ, тип: DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота: 2933 МГц, тайминги: 19, напряжение питания: 1.2 В, пропускная способность: PC23400

Отзывы о Оперативная память Hynix 8 ГБ DDR4 2933 МГц CL19 (HMA81GU6DJR8N-WMN0)

Подробнее...
Комплектующие
Продано: < 5 шт арт.: 479-000-399


Доставка товаров из категории "память для компьютера - пропускная способность 23400" - в городе в Оренбург от 2х дней. Контакты - Оренбург » Изменить Город

Выберите ваш регион или городотмена

х